Samsung MZ-V9S4T0BW *Kapacitás: 4 TB *Interfész: PCIe Gen 4.0 x4 / Gen 5.0 x2, NVMe 2.0 *Forma: M.2 (2280) *Méretek: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm *Tömeg: kb. 9 g *NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (236 réteg) *Kontroller: Samsung Piccolo *DRAM cache memória: Nincs (Host Memory Buffer - HMB) *Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb 7 250 MB/s *Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 6 300 MB/s *Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 1 050 000 IOPS *Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 1 400 000 IOPS *Átlagos energiafogyasztás (olvasás/írás): 5,5 W / 4,8 W *Energiafogyasztás (készenléti állapot): 60 mW *L1.2 mód fogyasztás: 5 mW *Üzemi hőmérséklet: 0°C - 70°C *Nem üzemi hőmérséklet: -40°C - 85°C *Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz hullám) *MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra *TBW (írási terhelhetőség): 2 400 TB *Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, IEEE1667 *Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard *Szoftver: Samsung Magician *RoHS megfelelőség: Igen *Kompatibilitás: PCIe 4.0 és PCIe 5.0 rendszerekkel